رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS0D55N03CGT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS0D55N03CGT1G-DG
وصف:
WIDE SOA
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 35A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
1410 قطع جديدة أصلية في المخزون
12974585
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
I4Pe
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS0D55N03CGT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.58mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 330µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
224.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
18500 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NTMFS0D55N03CGT1GCT
488-NTMFS0D55N03CGT1GDKR
488-NTMFS0D55N03CGT1GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTMFS0D55N03CGT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1410
DiGi رقم الجزء
NTMFS0D55N03CGT1G-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFSS1D3N06CL
60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOW
PJP100P03_T0_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SIHK075N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1