SIA912DJ-T1-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SIA912DJ-T1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SIA912DJ-T1-GE3-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

المخزون:

12787474
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SIA912DJ-T1-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.5nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
6.5W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIA912

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIA912DJ-T1-GE3TR
SIA912DJT1GE3
SIA912DJ-T1-GE3CT
SIA912DJ-T1-GE3DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
SIA910EDJ-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2096
DiGi رقم الجزء
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE

vishay-siliconix

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR

vishay-siliconix

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR

vishay-siliconix

SI9934BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC