الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Egypt
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Egypt
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA912DJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA912DJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12787474
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA912DJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.5nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
6.5W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIA912
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIA912DJ-T1-GE3TR
SIA912DJT1GE3
SIA912DJ-T1-GE3CT
SIA912DJ-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIA910EDJ-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2096
DiGi رقم الجزء
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SIZ980DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
SI9934BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC