IRFD214
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFD214

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFD214-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 450mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

المخزون:

12904675
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
Dx8K
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFD214 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
450mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
140 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
4-HVMDIP
العبوة / العلبة
4-DIP (0.300", 7.62mm)
رقم المنتج الأساسي
IRFD214

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
*IRFD214

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
fairchild-semiconductor

HUFA76409D3S

MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA

vishay-siliconix

IRFBC40LCPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

diodes

ZVN4206ASTZ

MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE

diodes

ZVN4106FTC

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3