رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF510STRR
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF510STRR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12893418
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF510STRR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF510
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF510STRRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1558
DiGi رقم الجزء
IRF510STRRPBF-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF840LCSTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
DMP3007SFG-7
MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
IRC830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5
