رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPN2R703NL,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPN2R703NL,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
المخزون:
4830 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890605
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPN2R703NL,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.1x3.1)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPN2R703
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPN2R703NL,L1QDKR-DG
TPN2R703NL,L1Q(M
TPN2R703NLL1QDKR
TPN2R703NL,L1QDKR
TPN2R703NLL1QCT
TPN2R703NL,L1QTR-DG
TPN2R703NLL1QTR
TPN2R703NL,L1QCT-DG
TPN2R703NL,L1QCT
TPN2R703NL,L1QTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AON6360
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
6000
DiGi رقم الجزء
AON6360-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK3A60DA(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
