رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH1R306P1,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH1R306P1,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
3143 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966838
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
Uekh
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH1R306P1,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIX-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.28mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8100 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
960mW (Ta), 170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPH1R306
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
264-TPH1R306P1L1QCT
264-TPH1R306P1L1QTR
264-TPH1R306P1L1QDKR
TPH1R306P1,L1Q(M
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIJ128LDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
JANTXV2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3