رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC8065-H,LQ(S
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC8065-H,LQ(S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
12891078
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
zNwO
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC8065-H,LQ(S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVII-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.6mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
TPC8065
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
TPC8065HLQS
TPC8065-HLQ(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TP89R103NL,LQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2248
DiGi رقم الجزء
TP89R103NL,LQ-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK5A53D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
TK25V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 25A 4DFN
SSM3K17FU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
