رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC5171,MATUDQ(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC5171,MATUDQ(J-DG
وصف:
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12890688
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
tcw1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC5171,MATUDQ(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
180 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
5µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SC5171
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC5171MATUDQJ
2SC5171MATUDQ(J
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SC4381
المُصنِّع
Sanken Electric USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
2SC4381-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC5201,T6F(J
TRANS NPN 600V 0.05A TO92MOD
2SA965-Y,T6KOJPF(J
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
TTA004B,Q
TRANS PNP 160V 1.5A TO126N
