CSD19533KCS
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

CSD19533KCS

Product Overview

المُصنّع:

Texas Instruments

رقم الجزء DiGi Electronics:

CSD19533KCS-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

2169 قطع جديدة أصلية في المخزون
12789211
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
WsD1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

CSD19533KCS المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tube
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2670 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
CSD19533

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-CSD19533KCS-NDR
296-37482-5INACTIVE
296-37482-5-NDR
-CSD19533KCSINACTIVE
296-37482-5
CSD19533KCS-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
central-semiconductor

CP373-CTLDM303N-WN

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

texas-instruments

CSD13385F5T

MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD17559Q5T

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

texas-instruments

CSD18532Q5BT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON