رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP11N52K3
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP11N52K3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
564 قطع جديدة أصلية في المخزون
12875318
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ZAPq
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP11N52K3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH3™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
525 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
510mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP11N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-11870-5
-497-11870-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
IXFP12N50P-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFB13N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1693
DiGi رقم الجزء
IRFB13N50APBF-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF740PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1690
DiGi رقم الجزء
IRF740PBF-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
