رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STI10N62K3
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STI10N62K3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
المخزون:
850 قطع جديدة أصلية في المخزون
12945630
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ImZp
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STI10N62K3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH3™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
620 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1250 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
STI10N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-12256
-497-12256
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOW11N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
773
DiGi رقم الجزء
AOW11N60-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFSL9N60APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
900
DiGi رقم الجزء
IRFSL9N60APBF-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STW30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
STP90NF03L
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB