رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF9N65M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF9N65M2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
853 قطع جديدة أصلية في المخزون
12875341
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF9N65M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
315 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF9
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-15037-5
-497-15037-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK5A65W,S5X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK5A65W,S5X-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STD10PF06-1
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
STB85NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK