الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Egypt
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Egypt
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UMB4NTN
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
UMB4NTN-DG
وصف:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13524259
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
h
U
2
o
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UMB4NTN المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
UMT6
رقم المنتج الأساسي
UMB4
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
UMT6 DTRTG Reliability Test
أوراق البيانات
UMB4N
UMB10NFHA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
UMB4NTNTR
UMB4NTN-ND
UMB4NTNCT
UMB4NTNDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PUMB3,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2030
DiGi رقم الجزء
PUMB3,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMB1,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9486
DiGi رقم الجزء
PUMB1,135-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMB16,115
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
112500
DiGi رقم الجزء
PUMB16,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN5115DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
30
DiGi رقم الجزء
MUN5115DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SMUN5115DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1150
DiGi رقم الجزء
SMUN5115DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FMA10AT148
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
FMG9AT248
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
FMA7AT148
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
FMG9AT148
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5