رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RCD060N25TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RCD060N25TL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 6A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
المخزون:
13527354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
rS3i
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RCD060N25TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
530mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
840 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
850mW (Ta), 20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CPT3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RCD060
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD8NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
854
DiGi رقم الجزء
STD8NF25-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RD3U060CNTL1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3773
DiGi رقم الجزء
RD3U060CNTL1-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD7N25LZTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9394
DiGi رقم الجزء
FDD7N25LZTM-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R5021ANJTL
MOSFET N-CH 500V 21A LPTS
RCJ160N20TL
MOSFET N-CH 200V 16A LPTS
RSS070N05FU6TB
MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
