الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Egypt
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Egypt
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVB6411ANT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVB6411ANT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 77A (Tc) 217W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12859561
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVB6411ANT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
77A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
217W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NVB6411
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTB,NTP6411AN
مخططات البيانات
NVB6411ANT4G
ورقة بيانات HTML
NVB6411ANT4G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2156-NVB6411ANT4G
ONSONSNVB6411ANT4G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB80NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STB80NF10T4-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS4510TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2680
DiGi رقم الجزء
IRFS4510TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTA80N10T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
4140
DiGi رقم الجزء
IXTA80N10T-DG
سعر الوحدة
1.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB70N10S312ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
764
DiGi رقم الجزء
IPB70N10S312ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MTM982400BBF
MOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1-B
VN0300L
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
NP80N04PLG-E1B-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO263
IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON