الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Egypt
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Egypt
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTQD6968NR2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTQD6968NR2G-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 6.2A 1.39W Surface Mount 8-TSSOP
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12856428
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTQD6968NR2G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
630pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
1.39W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-TSSOP
رقم المنتج الأساسي
NTQD69
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTQD6968N
مخططات البيانات
NTQD6968NR2G
ورقة بيانات HTML
NTQD6968NR2G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
2156-NTQD6968NR2G
NTQD6968NR2GOS
ONSONSNTQD6968NR2G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO8808A
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AO8808A-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN2019UTS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
27844
DiGi رقم الجزء
DMN2019UTS-13-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFD5485NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8DFN
NTHD4401PT3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
NTLUD3191PZTAG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
NTHD3100CT3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET