رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4963N-35G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4963N-35G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.1A (Ta), 44A (Tc) 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) Through Hole IPAK
المخزون:
12855750
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4963N-35G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.1A (Ta), 44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1035 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
NTD49
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-NTD4963N-35G-ON
ONSONSNTD4963N-35G
NTD4963N-35GOS
NTD4963N-35G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD70NS04ZL
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STD70NS04ZL-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
94138
DiGi رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDTL01N60ZT3G
MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223
IPB65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
RJK6011DJE-00#Z0
MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
