الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Egypt
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Egypt
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MJD117T4
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MJD117T4-DG
وصف:
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12840549
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MJD117T4 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2V @ 8mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
20µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
20 W
التردد - الانتقال
25MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
رقم المنتج الأساسي
MJD11
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
MJD112,117
مخططات البيانات
MJD117T4
ورقة بيانات HTML
MJD117T4-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
MJD117T4OSDKR
MJD117T4OSCT
MJD117T4OSTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MJD117T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2150
DiGi رقم الجزء
MJD117T4G-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MJD117T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2233
DiGi رقم الجزء
MJD117T4-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SD1938FTL
TRANS NPN 20V 0.3A MINI3
MJD2955TF
TRANS PNP 60V 10A DPAK
2SD11990S
TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
KSA643OTA
TRANS PNP 20V 0.5A TO92-3