الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Egypt
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Egypt
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HUF76633S3ST
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
HUF76633S3ST-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 39A (Tc) 145W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12847912
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HUF76633S3ST المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
39A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1820 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
145W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
HUF76
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
HUF76633S3ST
ورقة بيانات HTML
HUF76633S3ST-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB30NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
971
DiGi رقم الجزء
STB30NF10T4-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRL540NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
39221
DiGi رقم الجزء
IRL540NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7309
DiGi رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDB3682
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
401
DiGi رقم الجزء
FDB3682-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK9640-100A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4646
DiGi رقم الجزء
BUK9640-100A,118-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDA24N50F
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
NTMKE4891NT1G
MOSFET N-CH 25V 26.7A 4ICEPAK
FQPF17N08
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
FDS8690
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC