رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6982AS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6982AS-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12836548
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
D3o0
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6982AS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.3A, 8.6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
610pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS69
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6982AS-DG
FDS6982ASCT
FDS6982ASDKR
FDS6982ASTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM4936DCS RLG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
26835
DiGi رقم الجزء
TSM4936DCS RLG-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3033LSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2251
DiGi رقم الجزء
DMN3033LSD-13-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI4202DY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SI4202DY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMC8010A
MOSFET
EFC4626R-TR
MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
FDMA3028N
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET