الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Egypt
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Egypt
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS4685
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS4685-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 8.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
59 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837405
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS4685 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1872 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS46
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDS4685 Datasheet
مخططات البيانات
FDS4685
ورقة بيانات HTML
FDS4685-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS4685-DG
2832-FDS4685TR
FDS4685TR
FDS4685DKR
2156-FDS4685-OS
FDS4685CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7416TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
12235
DiGi رقم الجزء
IRF7416TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AO4485
المُصنِّع
UMW
الكمية المتاحة
2361
DiGi رقم الجزء
AO4485-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMP4025LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
12492
DiGi رقم الجزء
DMP4025LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RS1G201ATTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
7266
DiGi رقم الجزء
RS1G201ATTB1-DG
سعر الوحدة
1.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CPH3457-TL-W
MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
HUFA76645S3ST
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
FDMC8010DC
MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN