رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP18N20F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP18N20F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12930621
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP18N20F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
145mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP18
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FDP18N20F-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDPF18N20FT
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDPF18N20FT-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF640NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
63317
DiGi رقم الجزء
IRF640NPBF-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CPH6354-TL-W
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
NVTFS9D6P04M8L
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3