رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDN337N-F169
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDN337N-F169-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12926746
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDN337N-F169 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FDN337
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDN337N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDN337N-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTX2N6788
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
NTMS4807NR2G
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
FQB630TM
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
