رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC604P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC604P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
المخزون:
912 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848210
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC604P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1926 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC604
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC604PTR
FDC604PCT
FDC604PDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI3407DV-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
8982
DiGi رقم الجزء
SI3407DV-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PMN30XPAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10315
DiGi رقم الجزء
PMN30XPAX-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTHS4101PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8830
DiGi رقم الجزء
NTHS4101PT1G-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOW11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
HUF75343S3
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
AO7405
MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-6
