رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMXB75UPEZ
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMXB75UPEZ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
المخزون:
37351 قطع جديدة أصلية في المخزون
12831985
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMXB75UPEZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
608 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DFN1010D-3
العبوة / العلبة
3-XDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
PMXB75
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
568-12600-2-DG
568-12600-2
1727-2314-6
PMXB75UPEZ-DG
568-12600-1
5202-PMXB75UPEZTR
1727-2314-1
1727-2314-2
568-12600-6-DG
568-12600-1-DG
934067153147
568-12600-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMCM650VNEZ
MOSFET N-CH 12V 6.4A 6WLCSP
PSMN1R6-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
NX2301PVL
MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB
