رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PEMB2,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PEMB2,115-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
المخزون:
12829261
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PEMB2,115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-666
رقم المنتج الأساسي
PEMB2
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
5202-PEMB2,115TR
934056523115
2156-PEMB2,115
NEXNXPPEMB2,115
PEMB2 T/R
PEMB2 T/R-DG
2156-PEMB2,115-NEX
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
EMB2T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3873
DiGi رقم الجزء
EMB2T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN2904FE,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
RN2904FE,LF-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NSBA144EDXV6T1G
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
36000
DiGi رقم الجزء
NSBA144EDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PUMB30,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PUMD13,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMH2/DG/B4X
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
