رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT15F60B
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT15F60B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
المخزون:
13255976
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT15F60B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
430mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2882 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
290W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 [B]
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
APT15F60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
150-APT15F60B
APT15F60B-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTBLS1D5N10MCTXG
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
NTBG1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTHL1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
