رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTQ36N20T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTQ36N20T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V Through Hole TO-3P
المخزون:
12819886
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
BB4O
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTQ36N20T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
IXTQ36
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH94N30P3
MOSFET N-CH 300V 94A TO247
IXTQ30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
IXTP4N80P
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB