رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA06N120P-TRL
Product Overview
المُصنّع:
Littelfuse Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA06N120P-TRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 600mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
1947 قطع جديدة أصلية في المخزون
13140415
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
wPdj
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA06N120P-TRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
Polar
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
600mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
34Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
236 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
238-IXTA06N120P-TRLDKR
238-IXTA06N120P-TRLCT
5656-IXTA06N120P-TRLDKR
238-IXTA06N120P-TRLCT-ND
238-IXTA06N120P-TRLTR-ND
5656-IXTA06N120P-TRLCT
5656-IXTA06N120P-TRLTR
238-IXTA06N120P-TRLTR
238-IXTA06N120P-TRLDKR-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMPB8XNX
MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
PSMNR60-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
PMV19XNEAR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
