رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFR36N60P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFR36N60P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
المخزون:
12823352
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
CsRp
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFR36N60P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFR36
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCH170N60
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
11513
DiGi رقم الجزء
FCH170N60-DG
سعر الوحدة
2.97
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6024KNZ1C9
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3
DiGi رقم الجزء
R6024KNZ1C9-DG
سعر الوحدة
3.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW26NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
204
DiGi رقم الجزء
STW26NM60N-DG
سعر الوحدة
3.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP100N06S3-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
R6020JNZC17
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
IRFS33N15D
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK