رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSD316SNL6327XT
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSD316SNL6327XT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
المخزون:
532 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840527
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
mYTB
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSD316SNL6327XT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 3.7µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
94 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSD316SNL6327HTSA1
BSD316SN L6327INTR-DG
BSD316SNL6327XTCT
BSD316SN L6327INTR
BSD316SN L6327INDKR
BSD316SN L6327INDKR-DG
BSD316SNL6327XTDKR
BSD316SN L6327-DG
BSD316SNL6327
SP000442462
BSD316SN L6327INCT-DG
BSD316SNL6327XTTR
BSD316SN L6327INCT
BSD316SN L6327
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSD316SNH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
30853
DiGi رقم الجزء
BSD316SNH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA76429S3S
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
NVMFS5C430NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
94-4762
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
