ZXMN10A11GTA
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZXMN10A11GTA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZXMN10A11GTA-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

المخزون:

1708 قطع جديدة أصلية في المخزون
12887481
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

ZXMN10A11GTA المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
274 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ZXMN10

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXMN10A11GCT-NDR
ZXMN10A11GDKR
ZXMN10A11GDKRINACTIVE
ZXMN10A11GDKR-DG
ZXMN10A11GTR
ZXMN10A11GTR-NDR
Q3847650I
ZXMN10A11GCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

ZVN0545ASTOB

MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE

diodes

DMN2028UVT-7

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

diodes

ZXMP10A17GQTC

MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

diodes

ZVP0545A

MOSFET P-CH 450V 45MA TO92-3