ZXM66P02N8TC
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZXM66P02N8TC

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZXM66P02N8TC-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO

المخزون:

12901955
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

ZXM66P02N8TC المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43.3 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2068 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FDS6375
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2121
DiGi رقم الجزء
FDS6375-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

R6046ANZ1C9

MOSFET N-CH 600V 46A TO247

diodes

ZXMP10A18K

MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3

diodes

ZVP2106ASTOB

MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE

diodes

ZXMP3F30FHTA

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23