رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXM64P035GTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXM64P035GTA-DG
وصف:
MOSFET P-CH 35V 3.8A/5.3A SOT223
وصف تفصيلي:
P-Channel 35 V 3.8A (Ta), 5.3A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
12886347
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXM64P035GTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
35 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A (Ta), 5.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
825 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXM64P035GCT
ZXM64P035GDKR
ZXM64P035GCT-NDR
ZXM64P035GTR
ZXM64P035GTR-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMP4A16GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
25078
DiGi رقم الجزء
ZXMP4A16GTA-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXM61N02FTC
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
ZXMN3A02N8TA
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
ZXMNS3BM832TA
MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
