ZVN2106ASTOA
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZVN2106ASTOA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZVN2106ASTOA-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 450mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

المخزون:

12953898
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

ZVN2106ASTOA المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
450mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
75 pF @ 18 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
E-Line (TO-92 compatible)
العبوة / العلبة
E-Line-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
ZVN2106ASTZ
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3236
DiGi رقم الجزء
ZVN2106ASTZ-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
BS270-D74Z
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9225
DiGi رقم الجزء
BS270-D74Z-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

central-semiconductor

CP406-CWDM3011N-CT

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

vishay-siliconix

SIR870BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

vishay-siliconix

IRFP360PBF

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3