رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT8008LFG-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT8008LFG-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 48A (Tc) 1W (Ta), 23.5W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
1395 قطع جديدة أصلية في المخزون
12921793
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT8008LFG-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 48A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2254 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta), 23.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMT8008
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
31-DMT8008LFG-7CT
31-DMT8008LFG-7TR
31-DMT8008LFG-7DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMT8008LFG-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT8008LFG-13-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
SISS04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
MSJPF20N65-BP
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
