رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT3006LDV-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT3006LDV-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 25A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)
المخزون:
12894360
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT3006LDV-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.7nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1155pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8 (Type UXC)
رقم المنتج الأساسي
DMT3006
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT47M2LDV-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
SIX3439K-TP
MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT563
DMN62D0UDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
