DMN26D0UDJ-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN26D0UDJ-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN26D0UDJ-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 240mA 300mW Surface Mount SOT-963

المخزون:

1 قطع جديدة أصلية في المخزون
12883170
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN26D0UDJ-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
240mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.05V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14.1pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-963
حزمة جهاز المورد
SOT-963
رقم المنتج الأساسي
DMN26

معلومات إضافية

الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMN26D0UDJ7
DMN26D0UDJ-7DICT
DMN26D0UDJ-7DITR
DMN26D0UDJ-7DIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMC3730UVT-7

MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26

diodes

BSS84DW-7-F

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363

diodes

DMC31D5UDA-7B

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN

diodes

DMC1030UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN