رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN1008UFDF-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN1008UFDF-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
المخزون:
2425 قطع جديدة أصلية في المخزون
12884427
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN1008UFDF-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
995 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type F)
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
DMN1008
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DMN1008UFDF-7CT
DMN1008UFDF-7-DG
31-DMN1008UFDF-7TR
31-DMN1008UFDF-7DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN1008UFDF-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
39895
DiGi رقم الجزء
DMN1008UFDF-13-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT10H025SK3-13
MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
DMN3110LCP3-7
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
DMPH4023SK3-13
MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R
